深圳大学学报（理工版）2021，Vol.38Issue(3)：232-238,7.DOI:10.3724/SP.J.1249.2021.03232
多编程手段的浮栅晶体管非易失性存储器
Floating gate transistor non-volatile memory with multi-programming method
摘要
关键词
纳米材料/核壳量子点/光电晶体管/非易失性存储器/光电存储器/石墨烯晶体管/高介电常数材料分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
温嘉敏,闫成员,孙振华..多编程手段的浮栅晶体管非易失性存储器[J].深圳大学学报（理工版）,2021,38(3):232-238,7.基金项目
广东省自然科学基金资助项目(2019A1515011367,2016A030310055) （2019A1515011367,2016A030310055）
