电源学报2021，Vol.19Issue(3)：169-174,6.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2021.3.169
SiC MOSFET模块结温监测研究
Study on Junction Temperature Monitoring of SiC MOSFET Module
李凌云 1何芹芹 2黄德雷1
作者信息
- 1. 江苏省宿迁经贸高等职业技术学校,宿迁 223600
- 2. 江苏科技大学电子信息学院,镇江212003
- 折叠
摘要
关键词
结温提取/碳化硅(SiC)/金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)/阈值电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李凌云,何芹芹,黄德雷..SiC MOSFET模块结温监测研究[J].电源学报,2021,19(3):169-174,6.
