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基于SiC器件的三电平半桥单电感均压电路

崔恒斌 任海军 周涛

电源学报2021,Vol.19Issue(3):182-188,7.
电源学报2021,Vol.19Issue(3):182-188,7.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2021.3.182

基于SiC器件的三电平半桥单电感均压电路

Three-level Half-bridge One-inductor Voltage Balance Circuit Based on SiC Device

崔恒斌 1任海军 2周涛2

作者信息

  • 1. 成都运达科技股份有限公司,成都 611731
  • 2. 西南交通大学电气工程学院,成都 611756
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET器件/单电感均压/辅助变流器/三电平半桥

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

崔恒斌,任海军,周涛..基于SiC器件的三电平半桥单电感均压电路[J].电源学报,2021,19(3):182-188,7.

基金项目

国家轨道交通电气化与自动化工程技术研究中心资助项目(NEEC-2019-A04) (NEEC-2019-A04)

电源学报

OA北大核心CSCD

2095-2805

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