电子科技2021，Vol.34Issue(6)：56-60,5.DOI:10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2021.06.010
漏压对P-GaN HEMT导通电阻和阈值电压的影响
Effect of Leakage Voltage on On-Resistance and Threshold Voltage of P-GaN HEMT
摘要
关键词
P-GaN器件/可靠性/导通电阻/阈值电压/关态时间/漏极电压/表面陷阱分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘熙,叶星宁..漏压对P-GaN HEMT导通电阻和阈值电压的影响[J].电子科技,2021,34(6):56-60,5.基金项目
广东省自然科学基金(2019A1515011522) （2019A1515011522）
