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具有高光开关比和高响应度的单根In2O3纳米线紫外光电晶体管

陈雪 魏志鹏

发光学报2021,Vol.42Issue(2):208-214,7.
发光学报2021,Vol.42Issue(2):208-214,7.DOI:10.37188/CJL.20200376

具有高光开关比和高响应度的单根In2O3纳米线紫外光电晶体管

Single In2 O3 Nanowire Ultraviolet Phototransistor with High Optical On-off Ratio and High Responsivity

陈雪 1魏志鹏1

作者信息

  • 1. 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春 130022
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摘要

关键词

In2O3纳米线/紫外/光电晶体管/响应度

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈雪,魏志鹏..具有高光开关比和高响应度的单根In2O3纳米线紫外光电晶体管[J].发光学报,2021,42(2):208-214,7.

基金项目

国家自然科学基金(61904017,62074018,12074045) (61904017,62074018,12074045)

高功率半导体激光器国家重点实验室基金 ()

吉林省科技发展计划(20200301052RQ) (20200301052RQ)

吉林省教育厅项目(JJKH20200763KJ) (JJKH20200763KJ)

长春理工大学青年基金(XQNJJ-2018-18)资助项目 (XQNJJ-2018-18)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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