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基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列

谭毅 庄永漳 卢子元 张晓东 赵德胜 蔡勇 曾中明 张宝顺

发光学报2021，Vol.42Issue(2)：215-222,8.
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发光学报2021，Vol.42Issue(2)：215-222,8.DOI:10.37188/CJL.20200355

基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列

InGaN-based Lateral-structured Micro-LED Array Fabricated by Ion Implantation

谭毅 1庄永漳 2卢子元 2张晓东 2赵德胜 1蔡勇 2曾中明 2张宝顺2

作者信息

  • 1. 中国科学技术大学 纳米技术与纳米仿生学院,安徽 合肥 230026
  • 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 多功能材料与轻巧系统重点实验室,江苏 苏州 215123
  • 折叠

摘要

关键词

蓝光Micro-LED/离子注入隔离/氮化镓/横向结构/高光功率密度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

谭毅,庄永漳,卢子元,张晓东,赵德胜,蔡勇,曾中明,张宝顺..基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列[J].发光学报,2021,42(2):215-222,8.

基金项目

国家自然科学基金(U1830112) （U1830112）

江苏省自然科学基金(BK20191195) （BK20191195）

微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室开放项目(6142803180407)资助 （6142803180407）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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