发光学报2021，Vol.42Issue(2)：223-230,8.DOI:10.37188/CJL.20200346
940nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备
Design and Fabrication of 940 nm Horizontal Cavity Surface Emitting Semiconductor Laser
摘要
关键词
面发射分布反馈(SE-DFB)半导体激光器/二阶光栅/光栅形貌/耦合因子分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
术玲,海一娜,邹永刚,范杰,王傲..940nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备[J].发光学报,2021,42(2):223-230,8.基金项目
吉林省科技发展计划(20190302052GX,20180519018JH) （20190302052GX,20180519018JH）
吉林省教育厅"十三五"科技项目(JJKH20190543KJ)资助 （JJKH20190543KJ）
