发光学报2021，Vol.42Issue(4)：448-454,7.DOI:10.37188/CJL.20200379
InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长
Growth of InGaAs/GaAsP Strain-compensated Multiple Quantum Wells via MOCVD Technology
摘要
关键词
金属有机化学气相沉积/InGaAs/GaAsP/应变补偿/多量子阱/晶格失配分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王旭,王海珠,张彬,王曲惠,范杰,邹永刚,马晓辉..InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长[J].发光学报,2021,42(4):448-454,7.基金项目
吉林省科技发展计划(20190302052GX)资助项目 （20190302052GX）
