发光学报2021，Vol.42Issue(4)：526-533,8.DOI:10.37188/CJL.20200327
SiO2图形化蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响
Effect of SiO2 Patterned Sapphire Substrate on GaN Growth and LED Luminescence Performance
摘要
关键词
SiO2蓝宝石复合衬底/LED芯片/位错密度/GaN/光提取效率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李思宏,侯想,罗荣煌,刘杨,钟梦洁,罗学涛..SiO2图形化蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响[J].发光学报,2021,42(4):526-533,8.基金项目
厦门大学与福建中晶科技有限公司合作项目(XDHT2018582A)资助 （XDHT2018582A）
