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Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响

李想 魏志鹏 亢玉彬 唐吉龙 方铉 房丹 李科学 王登魁 林逢源 楚学影

发光学报2021，Vol.42Issue(5)：629-634,6.
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发光学报2021，Vol.42Issue(5)：629-634,6.DOI:10.37188/CJL.20210059

Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响

Effect of Si Doping on Photoluminescence Properties of GaAs Nanowires

李想 1魏志鹏 1亢玉彬 1唐吉龙 1方铉 1房丹 1李科学 1王登魁 1林逢源 1楚学影2

作者信息

  • 1. 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
  • 2. 长春理工大学 理学院, 吉林 长春 130022
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摘要

关键词

光谱学/GaAs纳米线/Si掺杂/光致发光/分子束外延

分类

数理科学

引用本文复制引用

李想,魏志鹏,亢玉彬,唐吉龙,方铉,房丹,李科学,王登魁,林逢源,楚学影..Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响[J].发光学报,2021,42(5):629-634,6.

基金项目

国家自然科学基金(61674021,11674038,61704011,61904017,11804335,12074045) （61674021,11674038,61704011,61904017,11804335,12074045）

吉林省教育厅项目(JJKH20200763KJ)资助 （JJKH20200763KJ）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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