人工晶体学报2021，Vol.50Issue(5)：809-815,824,8.
垒层温度对InGaN量子点/量子阱复合结构内量子效率的影响
Effect of Barrier Temperature on Internal Quantum Efficiency in InGaN Quantum Dots/Quantum Well Hybrid Structure
摘要
关键词
量子点/量子阱复合结构/V型坑/量子限制斯塔克效应/非辐射复合中心/内量子效率/金属有机化学气相沉积分类
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平晨,贾志刚,董海亮,张爱琴,许并社..垒层温度对InGaN量子点/量子阱复合结构内量子效率的影响[J].人工晶体学报,2021,50(5):809-815,824,8.基金项目
国家自然科学基金(61904120,21972103,61604104,51672185) （61904120,21972103,61604104,51672185）
国家重点研发计划(2016YFB0401803) （2016YFB0401803）
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山西省重点研发项目(201803D31042) （201803D31042）
