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不同退火条件对PEALD制备的Ga2O3薄膜特性的影响

马海鑫 丁广玉 邢艳辉 韩军 张尧 崔博垚 林文魁 尹浩田 黄兴杰

人工晶体学报2021，Vol.50Issue(5)：838-844,7.
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人工晶体学报2021，Vol.50Issue(5)：838-844,7.

不同退火条件对PEALD制备的Ga2O3薄膜特性的影响

Effects of Different Annealing Conditions on the Characteristics of Ga2O3 Thin Films Prepared by PEALD

马海鑫 1丁广玉 2邢艳辉 1韩军 1张尧 1崔博垚 1林文魁 1尹浩田 2黄兴杰1

作者信息

  • 1. 北京工业大学微电子学院,光电技术教育部重点实验室,北京 100124
  • 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件与应用重点实验室,苏州 215123
  • 折叠

摘要

关键词

氧化镓/退火条件/等离子增强原子层沉积/晶体结构/表面形貌/光学性质

分类

数理科学

引用本文复制引用

马海鑫,丁广玉,邢艳辉,韩军,张尧,崔博垚,林文魁,尹浩田,黄兴杰..不同退火条件对PEALD制备的Ga2O3薄膜特性的影响[J].人工晶体学报,2021,50(5):838-844,7.

基金项目

国家自然科学基金(61574011) （61574011）

北京市自然科学基金(4182015,4182014) （4182015,4182014）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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