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氮化镓基高电子迁移率晶体管单粒子和总剂量效应的实验研究

陈睿 梁亚楠 韩建伟 王璇 杨涵 陈钱 袁润杰 马英起 上官士鹏

物理学报2021，Vol.70Issue(11)：246-253,8.
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物理学报2021，Vol.70Issue(11)：246-253,8.DOI:10.7498/aps.70.20202028

氮化镓基高电子迁移率晶体管单粒子和总剂量效应的实验研究

Single event effect and total dose effect of GaN high electron mobility transistor using heavy ions and gamma rays

陈睿 1梁亚楠 2韩建伟 1王璇 1杨涵 2陈钱 1袁润杰 2马英起 1上官士鹏2

作者信息

  • 1. 中国科学院国家空间科学中心,北京 100190
  • 2. 中国科学院大学,北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

单粒子烧毁效应/总剂量效应/重离子/氮化镓高电子迁移率晶体管

引用本文复制引用

陈睿,梁亚楠,韩建伟,王璇,杨涵,陈钱,袁润杰,马英起,上官士鹏..氮化镓基高电子迁移率晶体管单粒子和总剂量效应的实验研究[J].物理学报,2021,70(11):246-253,8.

基金项目

北京市科委项目(批准号:E039360101)和中国科学院战略性先导科技专项(A类)(批准号:XDA17010301)资助的课题. （批准号:E039360101）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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