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纳米光子学结构对GaInAsSb p-n结红外光电性能的调控

皇甫夏虹刘双飞肖家军张蓓彭新村

物理学报2021，Vol.70Issue(11)：342-350,9.

物理学报2021，Vol.70Issue(11)：342-350,9.DOI:10.7498/aps.70.20201829

Modulating infrared optoelectronic performance of GaInAsSb p-n junction by nanophotonic structure

皇甫夏虹 ¹刘双飞 ²肖家军 ²张蓓 ²彭新村²

作者信息

纳米光子学/GaInAsSb/红外

皇甫夏虹,刘双飞,肖家军,张蓓,彭新村..纳米光子学结构对GaInAsSb p-n结红外光电性能的调控[J].物理学报,2021,70(11):342-350,9.

国家自然科学基金(批准号:62061001,61204071)和江西省自然科学基金(批准号:20202BAB202013)资助的课题. （批准号:62061001,61204071）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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