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氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究

刘培培 文剑豪 魏进希 王冠宇 周春宇

重庆理工大学学报(自然科学版)2021,Vol.35Issue(5):163-169,7.
重庆理工大学学报(自然科学版)2021,Vol.35Issue(5):163-169,7.DOI:10.3969/j.issn.1674-8425(z).2021.05.022

氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究

Research on Frequency Characteristics of SOI SiGe Heterojunction Bipolar Transistor with Nitride Stress Film

刘培培 1文剑豪 1魏进希 1王冠宇 1周春宇2

作者信息

  • 1. 重庆邮电大学 光电工程学院,重庆 400065
  • 2. 燕山大学 理学院 河北省微结构材料物理重点实验室,河北 秦皇岛 066004
  • 折叠

摘要

关键词

单轴应变/SOI SiGe HBT/埋氧化层厚度/频率特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘培培,文剑豪,魏进希,王冠宇,周春宇..氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究[J].重庆理工大学学报(自然科学版),2021,35(5):163-169,7.

基金项目

国家自然科学基金项目(61704147) (61704147)

河北省教育厅科学基金项目(QN2017150) (QN2017150)

重庆理工大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSTPCD

1674-8425

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