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密封中子管氘-氘产额及二次电子抑制

刘国财 张培旭 刘志珍 李玮瑛 杨洪广

核化学与放射化学2021,Vol.43Issue(3):301-308,8.
核化学与放射化学2021,Vol.43Issue(3):301-308,8.DOI:10.7538/hhx.2021.43.03.0301

密封中子管氘-氘产额及二次电子抑制

D-D Yield and Secondary Electron Suppression in Sealed Neutron Tube

刘国财 1张培旭 1刘志珍 1李玮瑛 1杨洪广1

作者信息

  • 1. 中国原子能科学研究院 反应堆工程研究所,北京 102413
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摘要

关键词

D-D中子管/热子电流/阳极高压/靶极高压/二次电子抑制

分类

能源科技

引用本文复制引用

刘国财,张培旭,刘志珍,李玮瑛,杨洪广..密封中子管氘-氘产额及二次电子抑制[J].核化学与放射化学,2021,43(3):301-308,8.

基金项目

科技部中子管项目(2017YFF0104201) (2017YFF0104201)

中核集团自主研发项目 ()

核化学与放射化学

OA北大核心CSCDCSTPCD

0253-9950

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