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基于温敏电参数的碳化硅MOSFET结温测量方法综述

吴涛 孙鹏 赵志斌 崔翔 吴军民

中国电机工程学报2021，Vol.41Issue(11)：3904-3914,11.
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中国电机工程学报2021，Vol.41Issue(11)：3904-3914,11.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.200875

基于温敏电参数的碳化硅MOSFET结温测量方法综述

A Review of Junction Temperature Measurement Methods of SiC MOSFET by Temperature-sensitive Electrical Parameters

吴涛 1孙鹏 1赵志斌 1崔翔 1吴军民2

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市 昌平区102206
  • 2. 全球能源互联网研究院有限公司,北京市 昌平区102211
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摘要

关键词

温敏电参数/碳化硅MOSFET/结温测量

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴涛,孙鹏,赵志斌,崔翔,吴军民..基于温敏电参数的碳化硅MOSFET结温测量方法综述[J].中国电机工程学报,2021,41(11):3904-3914,11.

基金项目

国家重点研发计划项目(2018YFB0905703). （2018YFB0905703）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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