|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|中国电机工程学报|串扰有源抑制型SiC MOSFET驱动方法

串扰有源抑制型SiC MOSFET驱动方法

李国文 杭丽君 童安平 曾庆威 何远彬 沈磊 曾平良 李国杰

中国电机工程学报2021，Vol.41Issue(11)：3915-3922,8.
✕
中国电机工程学报2021，Vol.41Issue(11)：3915-3922,8.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.201020

串扰有源抑制型SiC MOSFET驱动方法

The Driver Design of SiC MOSFET With Active Crosstalk Suppression

李国文 1杭丽君 1童安平 2曾庆威 1何远彬 1沈磊 1曾平良 1李国杰2

作者信息

  • 1. 区域能源互联网技术浙江省工程实验室(杭州电子科技大学),浙江省杭州市310018
  • 2. 电力传输与功率变换控制教育部重点实验室(上海交通大学),上海市 闵行区200240
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET/驱动电路/电平移位器/串扰/米勒钳位

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李国文,杭丽君,童安平,曾庆威,何远彬,沈磊,曾平良,李国杰..串扰有源抑制型SiC MOSFET驱动方法[J].中国电机工程学报,2021,41(11):3915-3922,8.

基金项目

国家自然科学基金项目(51777049,51707051). （51777049,51707051）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文