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计及芯片导通压降温变效应的功率模块三维温度场解析建模方法

陈宇 周宇 罗皓泽 李武华 何湘宁

电工技术学报2021,Vol.36Issue(12):2459-2470,12.
电工技术学报2021,Vol.36Issue(12):2459-2470,12.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.201440

计及芯片导通压降温变效应的功率模块三维温度场解析建模方法

Analytical 3D Temperature Field Model for Power Module Considering Temperature Effect of Semiconductor Voltage Drop

陈宇 1周宇 1罗皓泽 1李武华 1何湘宁1

作者信息

  • 1. 浙江大学电气工程学院 杭州 310027
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摘要

关键词

功率模块/温变效应/场路耦合/三维温度场/过电流能力

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈宇,周宇,罗皓泽,李武华,何湘宁..计及芯片导通压降温变效应的功率模块三维温度场解析建模方法[J].电工技术学报,2021,36(12):2459-2470,12.

基金项目

国家自然科学基金杰出青年科学基金项目(51925702)、国家自然科学基金面上项目(51677166)、上汽基金会项目"电机控制器IGBT寿命模型研究"(1924)和中央高校基本科研业务费专项资金项目(K20200097)资助. (51925702)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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