桂林电子科技大学学报2021，Vol.41Issue(1)：18-24,7.
一种具有阳极NPN的Si/SiC异质结IGBT结构
A Si/SiC heteroj unction IGBT structure with anode NPN
摘要
关键词
Si/SiC/异质结/阳极NPN/关断损耗/IGBT分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
黄洪,李琦,党天宝,王磊,姜焱彬..一种具有阳极NPN的Si/SiC异质结IGBT结构[J].桂林电子科技大学学报,2021,41(1):18-24,7.基金项目
国家自然科学基金(61464003,61874036) （61464003,61874036）
广西自然科学基金(2018GXNSFAA281201) （2018GXNSFAA281201）
桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2020YCXS033) （2020YCXS033）
