材料工程2021,Vol.49Issue(7):103-111,9.DOI:10.11868/j.issn.1001-4381.2019.001092
Cu2ZnSnS4/Bi2FeCrO6半导体异质结的脉冲激光沉积法制备及其光电性能
Cu2ZnSnS4/Bi2FeCrO6 semiconductor heterojunction grown by pulsed laser deposition and its optoelectronic properties
摘要
关键词
脉冲激光沉积/铜锌锡硫/铋铁铬氧/异质结/半导体分类
数理科学引用本文复制引用
王杰,马帅,夏丰金,董红周,沙震宗,贾瑞彬..Cu2ZnSnS4/Bi2FeCrO6半导体异质结的脉冲激光沉积法制备及其光电性能[J].材料工程,2021,49(7):103-111,9.基金项目
国家自然科学基金(61604086) (61604086)
青岛市民生科技计划项目科技惠民专项(19-6-1-91-nsh) (19-6-1-91-nsh)