热处理V膜制备VO2薄膜的结构和光电性能OA北大核心CSCDCSTPCD
Structure and Optical–Electric Properties of VO2 Films Prepared by Annealing V Films
先用磁控溅射法在石英玻璃基片上制备了金属V膜,然后经过真空退火处理被转变为VO2薄膜.研究了退火温度对VO2薄膜表面形貌、晶体结构、光学性能和电学性能的影响.结果表明:随着退火温度由300℃增加到450℃,VO2薄膜的结晶度明显增加.退火温度在400℃和450℃制备的样品是高纯M相单斜结构,晶粒发育较好,晶界清晰.不同温度退火的样品的表面V元素包含由4+和5+态,5+态的出现是由于表面V元素受环境中氧化导致.虽然退火温度的改变对VO2薄膜的可见光…查看全部>>
袁文辉;刘保顺
武汉高芯科技有限公司,武汉 430205硅酸盐建筑材料国家重点实验室,武汉理工大学,武汉 430070
物理学
二氧化钒薄膜磁控溅射真空退火半导体‒金属相变
《硅酸盐学报》 2021 (6)
1151-1156,6
国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项(2017YFE0192600)国家自然科学基金面上项目(51772230).
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