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Cd饱和气氛退火对碲锌镉晶体导电类型转变界面的影响

袁绶章 赵文 孔金丞 姜军 赵增林 姬荣斌

红外技术2021,Vol.43Issue(6):517-522,6.
红外技术2021,Vol.43Issue(6):517-522,6.

Cd饱和气氛退火对碲锌镉晶体导电类型转变界面的影响

Influence of Cd-rich Annealing on Position-dependent Conductivity Transition in Cd1-xZnxTe Crystal

袁绶章 1赵文 1孔金丞 1姜军 1赵增林 1姬荣斌1

作者信息

  • 1. 昆明物理研究所,云南昆明 650223
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摘要

关键词

碲锌镉/导电类型转变界面/退火/Cd源

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

袁绶章,赵文,孔金丞,姜军,赵增林,姬荣斌..Cd饱和气氛退火对碲锌镉晶体导电类型转变界面的影响[J].红外技术,2021,43(6):517-522,6.

红外技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-8891

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