| 注册
首页|期刊导航|天津工业大学学报|基于55nm工艺的MCU低功耗物理设计

基于55nm工艺的MCU低功耗物理设计

陈力颖 罗奎 王浩 刘宏伟 吕英杰

天津工业大学学报2021,Vol.40Issue(3):77-82,6.
天津工业大学学报2021,Vol.40Issue(3):77-82,6.DOI:10.3969/j.issn.1671-024x.2021.03.012

基于55nm工艺的MCU低功耗物理设计

Low power physical design of MCU based on 55 nm process

陈力颖 1罗奎 2王浩 1刘宏伟 2吕英杰1

作者信息

  • 1. 天津工业大学 电子与信息工程学院,天津 300387
  • 2. 天津工业大学 天津市光电检测技术与系统重点实验室,天津 300387
  • 折叠

摘要

关键词

数字集成电路/布局/时钟树综合/低功耗/协同优化

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈力颖,罗奎,王浩,刘宏伟,吕英杰..基于55nm工艺的MCU低功耗物理设计[J].天津工业大学学报,2021,40(3):77-82,6.

基金项目

国家留学基金资助项目(201908120039) (201908120039)

天津市研究生科研创新项目(2019YJSS019) (2019YJSS019)

天津工业大学学报

OA北大核心CSTPCD

1671-024X

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文