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PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究

刘得伟 段金炽 黄四江 林作亮 普世坤

云南冶金2021，Vol.50Issue(3)：91-96,6.
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云南冶金2021，Vol.50Issue(3)：91-96,6.

PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究

Technical Study on 6 Inches 4H-SiC Crystal Growth by PVT Method

刘得伟 1段金炽 2黄四江 3林作亮 3普世坤3

作者信息

  • 1. 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司,云南 临沧 677000
  • 2. 昆明云锗高新技术有限公司,云南 昆明 650503
  • 3. 云南中科鑫圆晶体材料有限公司,云南 昆明 650503
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摘要

关键词

碳化硅(SiC)/物理气相传输(PVT)/单晶

分类

化学化工

引用本文复制引用

刘得伟,段金炽,黄四江,林作亮,普世坤..PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究[J].云南冶金,2021,50(3):91-96,6.

基金项目

云南省科学技术厅重大科技专项(2019ZE00704). （2019ZE00704）

云南冶金

1006-0308

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