原子与分子物理学报2021，Vol.38Issue(4)：155-160,6.DOI:10.19855/j.1000-0364.2021.046006
Sc掺杂SnO2稀磁半导体的第一性原理研究
First-principles study of Sc-doped SnO2 dilute magnetic semiconductors
摘要
关键词
Sc掺杂SnO2/第一性原理/电子结构/磁性分类
数理科学引用本文复制引用
李聪,姜宏伟,郑友进,郝国栋..Sc掺杂SnO2稀磁半导体的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2021,38(4):155-160,6.基金项目
国家自然科学基金(51672120) （51672120）
牡丹江师范学院国家级课题培育项目(GP2019001) （GP2019001）
