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硅和锗纳米线的原子排布和电荷分布的密度泛函紧束缚方法研究

吴丽君 韩艳 李美玲 张林

原子与分子物理学报2021,Vol.38Issue(5):85-93,9.
原子与分子物理学报2021,Vol.38Issue(5):85-93,9.DOI:10.19855/j.1000-0364.2021.052005

硅和锗纳米线的原子排布和电荷分布的密度泛函紧束缚方法研究

Investigation on atomic arrangement and Mülliken populations of Si and Ge nanowires by density functional tight binding simulations

吴丽君 1韩艳 1李美玲 1张林2

作者信息

  • 1. 沈阳理工大学理学院,沈阳110159
  • 2. 东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室,沈阳110819
  • 折叠

摘要

关键词

纳米线/表面重构/密度泛函紧束缚/Mülliken电子布居数

分类

化学化工

引用本文复制引用

吴丽君,韩艳,李美玲,张林..硅和锗纳米线的原子排布和电荷分布的密度泛函紧束缚方法研究[J].原子与分子物理学报,2021,38(5):85-93,9.

基金项目

辽宁省科技厅自然科学基金博士启动项目(2019-BS-202) (2019-BS-202)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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