原子与分子物理学报2021，Vol.38Issue(5)：165-172,8.DOI:10.19855/j.1000-0364.2021.056006
二维g-AlN材料中n型掺杂探索:基于第一性原理的带电缺陷计算
Exploration of n-type doping in two-dimensional AlN materials:Calculation of charged defects based on first principles
摘要
关键词
二维g-AlN/第一性原理/带电缺陷计算分类
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刘雪飞,吕兵,肖文君,罗子江..二维g-AlN材料中n型掺杂探索:基于第一性原理的带电缺陷计算[J].原子与分子物理学报,2021,38(5):165-172,8.基金项目
国家自然科学基金(11664005,61564002) （11664005,61564002）
贵州省科技合作项目([2013]7019) （[2013]7019）
贵州省科技计划项目(2017-5736-009,2017-7341) （2017-5736-009,2017-7341）
贵州省科技基金(2020,1Y021) （2020,1Y021）
