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单晶硅裂纹萌生的刻划深度研究

陈自彬 葛梦然 毕文波 张晨政 葛培琪

金刚石与磨料磨具工程2021,Vol.41Issue(3):55-59,5.
金刚石与磨料磨具工程2021,Vol.41Issue(3):55-59,5.DOI:10.13394/j.cnki.jgszz.2021.3.0008

单晶硅裂纹萌生的刻划深度研究

Study on crack initiation scratching depth of monocrystalline silicon

陈自彬 1葛梦然 2毕文波 1张晨政 1葛培琪1

作者信息

  • 1. 山东大学 机械工程学院,济南 250061
  • 2. 山东建筑大学 机电工程学院,济南 250101
  • 折叠

摘要

关键词

单晶硅/裂纹萌生/刻划深度/划痕深度

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

陈自彬,葛梦然,毕文波,张晨政,葛培琪..单晶硅裂纹萌生的刻划深度研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2021,41(3):55-59,5.

基金项目

国家自然科学基金(51775317,52005301) (51775317,52005301)

山东省重点研发计划(2019GGX104007). (2019GGX104007)

金刚石与磨料磨具工程

OA北大核心CSTPCD

1006-852X

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