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利用相变存储器不对称性的写入优化方法

张格毅 陈小刚 郭继鹏 宋志棠 陈邦明

计算机工程与应用2021，Vol.57Issue(14)：75-82,8.
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计算机工程与应用2021，Vol.57Issue(14)：75-82,8.DOI:10.3778/j.issn.1002-8331.2006-0321

利用相变存储器不对称性的写入优化方法

Solution to Optimize PCM Write Depending on Asymmetries

张格毅 1陈小刚 2郭继鹏 3宋志棠 1陈邦明1

作者信息

  • 1. 中国科学院 上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
  • 2. 上海科技大学 信息科学与技术学院,上海 201210
  • 3. 中国科学院大学,北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

相变存储器/擦写不对称性/磨损均衡/写入延时

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张格毅,陈小刚,郭继鹏,宋志棠,陈邦明..利用相变存储器不对称性的写入优化方法[J].计算机工程与应用,2021,57(14):75-82,8.

基金项目

国家重点研发计划(2017YFA0206101,2017YFB0701703,2017YFA0206104,2017YFB0405601) （2017YFA0206101,2017YFB0701703,2017YFA0206104,2017YFB0405601）

国家自然科学基金(61874178,61874129) （61874178,61874129）

上海市科委(17DZ2291300) （17DZ2291300）

上海市扬帆计划(19YF1456100). （19YF1456100）

计算机工程与应用

OA北大核心CSCDCSTPCD

1002-8331

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