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芯片制程中金属互连工艺及其相关理论研究进展

李亚强 马晓川 张锦秋 杨培霞 安茂忠

表面技术2021,Vol.50Issue(7):24-43,164,21.
表面技术2021,Vol.50Issue(7):24-43,164,21.DOI:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2021.07.002

芯片制程中金属互连工艺及其相关理论研究进展

Research Progress of Metal Interconnection Technology and Related Theory in Chip Fabrication

李亚强 1马晓川 1张锦秋 1杨培霞 1安茂忠1

作者信息

  • 1. 哈尔滨工业大学 化工与化学学院 新能源转换与储存关键材料技术工业和信息化部重点实验室,哈尔滨 150001
  • 折叠

摘要

关键词

金属互连/铜互连/钴互连/超填充机理/形核与生长

分类

化学化工

引用本文复制引用

李亚强,马晓川,张锦秋,杨培霞,安茂忠..芯片制程中金属互连工艺及其相关理论研究进展[J].表面技术,2021,50(7):24-43,164,21.

基金项目

国家自然科学基金(2197020448) (2197020448)

表面技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-3660

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