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基于源极电感检测法的SiC MOSFET短路保护电路研究

李官军 卢乙 殷实 余豪杰 李先允 殷帆

电气传动2021,Vol.51Issue(15):16-19,24,5.
电气传动2021,Vol.51Issue(15):16-19,24,5.DOI:10.19457/j.1001-2095.dqcd21403

基于源极电感检测法的SiC MOSFET短路保护电路研究

Research on Short-circuit Protection Circuit of SiC MOSFET Based on Source Inductance Detection

李官军 1卢乙 2殷实 1余豪杰 1李先允 2殷帆2

作者信息

  • 1. 中国电力科学研究院有限公司,江苏南京210003
  • 2. 南京工程学院电力工程学院,江苏南京211167
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管/短路特性/源极电感检测法/短路保护

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李官军,卢乙,殷实,余豪杰,李先允,殷帆..基于源极电感检测法的SiC MOSFET短路保护电路研究[J].电气传动,2021,51(15):16-19,24,5.

基金项目

江苏省储能变流及应用工程技术研究中心实验室开放基金(XNY1908005) (XNY1908005)

江苏省重点研发计划(BE2018130) (BE2018130)

江苏省普通高校研究生科研创新计划(SJCX19-0534) (SJCX19-0534)

电气传动

OACSTPCD

1001-2095

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