电源学报2021，Vol.19Issue(4)：6-15,10.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2021.4.6
一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路
Drive Circuit for Enhancing the Gate Voltage Stability of SiC MOSFET at High Switching Rate
邵天骢 1郑琼林 1李志君 2黄波 2刘建强1
作者信息
- 1. 北京交通大学电气工程学院,北京100044
- 2. 泰科天润半导体科技(北京)有限公司,北京100192
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摘要
关键词
碳化硅/MOSFET/高开关速率/栅极驱动/短路保护分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
邵天骢,郑琼林,李志君,黄波,刘建强..一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路[J].电源学报,2021,19(4):6-15,10.
