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10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究

文译 陈致宇 邓小川 柏松 李轩 张波

电子科技大学学报2021，Vol.50Issue(4)：520-526,7.
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电子科技大学学报2021，Vol.50Issue(4)：520-526,7.DOI:10.12178/1001-0548.2021084

10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究

Design and Characteristics of a Novel 10 kV SiC MOSFET Embedding Low Barrier Diode

文译 1陈致宇 1邓小川 1柏松 2李轩 3张波1

作者信息

  • 1. 电子科技大学电子科学与工程学院 成都 610054
  • 2. 电子科技大学广东电子工程信息研究院 广东 东莞 523808
  • 3. 南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室 南京 210016
  • 折叠

摘要

关键词

击穿电压/栅漏电容/低势垒/碳化硅/第三象限

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

文译,陈致宇,邓小川,柏松,李轩,张波..10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究[J].电子科技大学学报,2021,50(4):520-526,7.

基金项目

国家科技重点研发计划(2017YFB0102302) （2017YFB0102302）

广东省自然科学基金(2019A1515012085) （2019A1515012085）

电子科技大学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-0548

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