南通大学学报（自然科学版）2021，Vol.20Issue(2)：57-61,68,6.DOI:10.12194/j.ntu.20191010001
p型栅结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构优化
Structural Optimization of p-GaN Gate GaN-Based High Electron Mobility Transistors
摘要
关键词
p型栅/氮化镓/高电子迁移率晶体管/仿真分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
葛梅,李毅,王志亮,朱友华..p型栅结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构优化[J].南通大学学报（自然科学版）,2021,20(2):57-61,68,6.基金项目
国家自然科学基金项目(61874168,62004109) （61874168,62004109）
南通市科技计划项目(JC2019006) （JC2019006）
