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6英寸低位错锗单晶生长热场设计

陈晨 赵堃 韩焕鹏

人工晶体学报2021,Vol.50Issue(6):979-986,8.
人工晶体学报2021,Vol.50Issue(6):979-986,8.

6英寸低位错锗单晶生长热场设计

Design of Thermal Field for 6-Inch Low Dislocation Germanium Single Crystal Growth

陈晨 1赵堃 1韩焕鹏1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
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摘要

关键词

/单晶生长/热场/加热器/温度梯度/位错密度

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈晨,赵堃,韩焕鹏..6英寸低位错锗单晶生长热场设计[J].人工晶体学报,2021,50(6):979-986,8.

基金项目

国家技术基础科研项目(1905XX000) (1905XX000)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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