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后退火气氛对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响

姬凯迪 高灿灿 杨发顺 熊倩 马奎

人工晶体学报2021，Vol.50Issue(6)：1056-1061,6.
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人工晶体学报2021，Vol.50Issue(6)：1056-1061,6.

后退火气氛对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响

Effect of Post Annealing Atmosphere on β-Ga2 O3 Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering

姬凯迪 1高灿灿 1杨发顺 1熊倩 2马奎3

作者信息

  • 1. 贵州大学电子科学系,贵阳 550025
  • 2. 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025
  • 3. 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳 550025
  • 折叠

摘要

关键词

宽禁带半导体/β-Ga2O3/射频磁控溅射/退火氛围/结晶性能/表面粗糙度

分类

数理科学

引用本文复制引用

姬凯迪,高灿灿,杨发顺,熊倩,马奎..后退火气氛对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响[J].人工晶体学报,2021,50(6):1056-1061,6.

基金项目

国家自然科学基金(61664004) （61664004）

半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01)) （ERCME-KFJJ2019-(01）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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