物理学报2021，Vol.70Issue(14)：342-349,8.DOI:10.7498/aps.70.20202065
衬底浮空的新型绝缘体上硅基横向功率器件分析
Analysis of novel silicon based lateral power devices with floating substrate on insulator
摘要
关键词
绝缘体上硅基/衬底电极/击穿电压/氧化槽引用本文复制引用
唐春萍,段宝兴,宋坤,王彦东,杨银堂..衬底浮空的新型绝缘体上硅基横向功率器件分析[J].物理学报,2021,70(14):342-349,8.基金项目
陕西省杰出青年学者科学基金(批准号:2018JC-017)和111项目(批准号:B12026)资助的课题. （批准号:2018JC-017）
