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超宽禁带半导体闪烁晶体氧化镓的研究进展

唐慧丽 刘波 徐军 欧阳晓平

现代应用物理2021,Vol.12Issue(2):1-10,10.
现代应用物理2021,Vol.12Issue(2):1-10,10.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2021.020101

超宽禁带半导体闪烁晶体氧化镓的研究进展

Research Progress of Ultrawide-Bandgap Semiconductor Scintillator β-Ga2O3

唐慧丽 1刘波 1徐军 1欧阳晓平2

作者信息

  • 1. 同济大学物理科学与工程学院先进微结构材料教育部重点实验室,上海200092
  • 2. 西北核技术研究所,西安710024
  • 折叠

摘要

关键词

闪烁体/超宽禁带半导体/氧化镓/快衰减/闪烁机理

分类

能源科技

引用本文复制引用

唐慧丽,刘波,徐军,欧阳晓平..超宽禁带半导体闪烁晶体氧化镓的研究进展[J].现代应用物理,2021,12(2):1-10,10.

基金项目

装备预研基金重点资助项目(6140922010601) (6140922010601)

国家自然科学基金资助项目(11975168) (11975168)

强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题专项经费资助项目(SKLIPR2022) (SKLIPR2022)

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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