现代应用物理2021，Vol.12Issue(2)：69-75,7.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2021.020601
4H-SiC结势垒肖特基二极管电子辐照效应测试分析
Test Analysis of Electron Irradiation Effects in 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes
摘要
关键词
4H-SiC/结势垒肖特基二极管/光致发光/电子辐照/辐射效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘超铭,马国亮,霍明学,肖一平,王天琦,张庆豪,王祖军,李何依,冯绍辉,齐春华,张延清..4H-SiC结势垒肖特基二极管电子辐照效应测试分析[J].现代应用物理,2021,12(2):69-75,7.基金项目
国家自然科学基金资助项目(11775061 （）
61704039 （）
61771167 （）
11805045) （）
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费资助项目(SKLIPR1912) （SKLIPR1912）
