现代应用物理2021，Vol.12Issue(2)：86-92,7.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2021.020603
增强型AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的质子辐照效应
Effects of Proton Irradiation on Enhancement-Mode AIGaN/GaN MIS-HEMTs
摘要
关键词
AlGaN/GaN/增强型/绝缘栅高电子迁移率晶体管/质子辐照/缺陷/界面态分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吕玲,林正兆,郭红霞,潘霄宇,严肖瑶..增强型AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的质子辐照效应[J].现代应用物理,2021,12(2):86-92,7.基金项目
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费资助项目(SKLIPR1711) （SKLIPR1711）
