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西安200 MeV质子应用装置200 MeV质子辐照CCD的实验结果与分析

王祖军 薛院院 王迪 焦仟丽 刘卧龙 杨业 赵铭彤 王忠明 陈伟

现代应用物理2021,Vol.12Issue(2):93-99,7.
现代应用物理2021,Vol.12Issue(2):93-99,7.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2021.020604

西安200 MeV质子应用装置200 MeV质子辐照CCD的实验结果与分析

Charge Coupled Device Irradiated by 200 MeV Protons at Xi'an 200 MeV Proton Application Facility

王祖军 1薛院院 2王迪 1焦仟丽 2刘卧龙 1杨业 2赵铭彤 3王忠明 1陈伟2

作者信息

  • 1. 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024
  • 2. 西北核技术研究所,西安710024
  • 3. 湘潭大学材料科学与工程学院,湘潭411105
  • 折叠

摘要

关键词

电荷耦合器件/质子辐照/位移损伤/电离损伤/损伤机理

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王祖军,薛院院,王迪,焦仟丽,刘卧龙,杨业,赵铭彤,王忠明,陈伟..西安200 MeV质子应用装置200 MeV质子辐照CCD的实验结果与分析[J].现代应用物理,2021,12(2):93-99,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11875223 ()

11805155) ()

强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项基金资助项目(SKLIPR1803 ()

SKLIPR1903Z ()

SKLIPR2012) ()

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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