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一种抗辐照加固高压DAC的设计

苏晨 雷郎成 高炜祺

空间电子技术2021,Vol.18Issue(3):49-52,4.
空间电子技术2021,Vol.18Issue(3):49-52,4.DOI:10.3969/j.issn.1674-7135.2021.03.008

一种抗辐照加固高压DAC的设计

Design of a radiation hardened high voltage DAC

苏晨 1雷郎成 1高炜祺1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060
  • 折叠

摘要

关键词

高压DAC/MOS管阈值/NMOS管环栅/总剂量辐照

分类

航空航天

引用本文复制引用

苏晨,雷郎成,高炜祺..一种抗辐照加固高压DAC的设计[J].空间电子技术,2021,18(3):49-52,4.

空间电子技术

1674-7135

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