物理学报2021，Vol.70Issue(15)：214-221,8.DOI:10.7498/aps.70.20210351
基于栅控横向PNP双极晶体管的氢氛围中辐照损伤机制
Radiation mechanism of gate-controlled lateral PNP bipolar transistors in the hydrogen environment
摘要
关键词
栅控晶体管/氢气/低剂量率辐照损伤增强效应/界面陷阱/氧化物陷阱电荷引用本文复制引用
缑石龙,马武英,姚志斌,何宝平,盛江坤,薛院院,潘琛..基于栅控横向PNP双极晶体管的氢氛围中辐照损伤机制[J].物理学报,2021,70(15):214-221,8.基金项目
强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室(批准号:SKLIPR1802Z)资助的课题. （批准号:SKLIPR1802Z）
