电气传动2021，Vol.51Issue(16)：21-26,6.DOI:10.19457/j.1001-2095.dqcd21692
改善SiC MOSFET开关特性的有源驱动电路研究
Research on Active Gate Driver for Improving SiC MOSFET Switching Characteristics
摘要
关键词
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)/有源驱动电路/LTspice仿真软件/过冲/振荡分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
卢乙,李先允,王书征,何鸿天,周子涵..改善SiC MOSFET开关特性的有源驱动电路研究[J].电气传动,2021,51(16):21-26,6.基金项目
江苏省重点研发计划项目(BE2018130) （BE2018130）
江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(SJCX19_0530) （SJCX19_0530）
江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(SJCX19_0532) （SJCX19_0532）
