电气传动2021，Vol.51Issue(16)：33-38,6.DOI:10.19457/j.1001-2095.dqcd21595
SiC MOSFET栅源回路参数的串联扰动研究
Research on Series Disturbance of SiC MOSFET Gate-source Loop Parameters
摘要
关键词
碳化硅MOSFET/栅源回路/串联扰动/电压尖峰分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张宇,李先允,王书征,唐昕杰,袁宇,卢乙..SiC MOSFET栅源回路参数的串联扰动研究[J].电气传动,2021,51(16):33-38,6.基金项目
江苏省重点研发计划项目(BE2018130) （BE2018130）
江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(No.SJC X18_0575) （No.SJC X18_0575）
