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30V条件下功率MOSFET器件应力波理论与试验研究

何赟泽 邹翔 李孟川 周雅楠 赵志斌 黄守道 佘赛波 白芸

中国电机工程学报2021,Vol.41Issue(16):5683-5692,中插23,11.
中国电机工程学报2021,Vol.41Issue(16):5683-5692,中插23,11.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.201780

30V条件下功率MOSFET器件应力波理论与试验研究

Theoretical and Experimental Study on Stress Wave of Power MOSFET Under 30 Volts

何赟泽 1邹翔 1李孟川 1周雅楠 1赵志斌 2黄守道 1佘赛波 1白芸1

作者信息

  • 1. 湖南大学电气与信息工程学院,湖南省 长沙市 410012
  • 2. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市 昌平区 102206
  • 折叠

摘要

关键词

功率金属–氧化物半导体场效应晶体管/声发射/高频电磁波/机械应力波/可靠性/状态监测

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

何赟泽,邹翔,李孟川,周雅楠,赵志斌,黄守道,佘赛波,白芸..30V条件下功率MOSFET器件应力波理论与试验研究[J].中国电机工程学报,2021,41(16):5683-5692,中插23,11.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(52077063) (52077063)

长沙市科技计划项目(kq2004006) (kq2004006)

新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)(LAPS19013).. (华北电力大学)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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