原子与分子物理学报2021，Vol.38Issue(6)：108-112,5.DOI:10.19855/j.1000-0364.2021.064002
利用倒梯矩形电子阻挡层降低深紫外激光二极管的电子泄露
Reducing electron leakage from deep ultraviolet laser diode by using inverted trapezoid rectangle electron blocking layer
摘要
关键词
深紫外激光二极管/AlGaN/倒梯矩形电子阻挡层/电子泄露分类
数理科学引用本文复制引用
王瑶,王梦真,魏士钦,王芳,刘玉怀..利用倒梯矩形电子阻挡层降低深紫外激光二极管的电子泄露[J].原子与分子物理学报,2021,38(6):108-112,5.基金项目
国家重点研发计划重点专项(2016YFE0118400) （2016YFE0118400）
2019年度宁波市"科技创新2025"重大专项(2019B10129) （2019B10129）
