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InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光敏元蚀刻表面特性

崔玉容 徐志成 黄敏 许佳佳 陈建新 何力

红外与毫米波学报2021,Vol.40Issue(4):427-431,5.
红外与毫米波学报2021,Vol.40Issue(4):427-431,5.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2021.04.001

InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光敏元蚀刻表面特性

Fabrication and characteristics of InAs/GaSb Type-Ⅱ superlattice infrared detector pixel mesas

崔玉容 1徐志成 2黄敏 1许佳佳 1陈建新 1何力1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
  • 2. 中国科学院大学,北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

二类超晶格/快速热退火/栅控结构/X射线光电子能谱

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

崔玉容,徐志成,黄敏,许佳佳,陈建新,何力..InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光敏元蚀刻表面特性[J].红外与毫米波学报,2021,40(4):427-431,5.

基金项目

国家重点研发计划(2016YFB0402403),国家自然科学基金(61974152,61904183,61534006),中国科学院青年创新促进会会员(2016219),上海市青年科技启明星项目(20QA141500). (2016YFB0402403)

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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