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基于不同纳米划痕顺序的6H-SiC单晶片材料去除机理研究

郜伟 张银霞 黄鹏举

金刚石与磨料磨具工程2021,Vol.41Issue(4):92-97,6.
金刚石与磨料磨具工程2021,Vol.41Issue(4):92-97,6.DOI:10.13394/j.cnki.jgszz.2021.4.0013

基于不同纳米划痕顺序的6H-SiC单晶片材料去除机理研究

Study on material removal mechanism of 6H-SiC single crystal wafer based on different nano-scratch order

郜伟 1张银霞 1黄鹏举1

作者信息

  • 1. 郑州大学 机械与动力工程学院,抗疲劳制造技术河南省工程实验室,郑州 450001
  • 折叠

摘要

关键词

SiC单晶片/纳米划痕/划痕顺序/划痕间距/材料去除

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

郜伟,张银霞,黄鹏举..基于不同纳米划痕顺序的6H-SiC单晶片材料去除机理研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2021,41(4):92-97,6.

基金项目

国家自然科学基金(U1804254) (U1804254)

河南省自然科学基金(162300410244) (162300410244)

中国博士后科学基金(2015M580635). (2015M580635)

金刚石与磨料磨具工程

OA北大核心CSTPCD

1006-852X

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